具體地說，對于每個被測的諧波分量，頻率將設(shè)置為搜索基頻的整數(shù)倍，并且執(zhí)行一次零頻寬掃描，幅度由測量數(shù)據(jù)的功率平均計算得到。測量完數(shù)目的諧波和幅度之后，總諧波失真測量結(jié)果將自動計算并顯示在數(shù)據(jù)報表窗口。為使用諧波失真測量功能自動測量得到的顯示界面，數(shù)據(jù)報表窗口中順序列出了基頻與諧波分量的頻率和幅度，并給出了總諧波失真。根據(jù)測量報表，假設(shè)系統(tǒng)中只有這兩個諧波分量的話，總諧波失真為3.67%。該結(jié)果可由公式手動計算驗證，報表中二次諧波與基頻的幅度差為-29.1dB，三次諧波與基頻的幅度差為-4.4dB，則總諧波失真為：諧波失真測量功能一鍵自動測量由此可見，中諧波失真自動測量的結(jié)果與中手動測量的結(jié)果是相互吻合的。

內(nèi)科透析液保溫箱參數(shù)：

因此我們常常把樣品放在高電壓、大電流、高濕度、高溫、較大氣壓等條件下進行測試，然后根據(jù)樣品的失效機理和模型來推算產(chǎn)品在正常條件下的壽命?？煽啃允菍Ξa(chǎn)品耐久力的測量，我們主要典型的IC產(chǎn)品的生命周期可以用一條浴缸曲線來表示。冷熱沖擊試驗用來測試材料結(jié)構(gòu)或復(fù)合材料，在瞬間下經(jīng)高溫、低溫的連續(xù)環(huán)境下所能忍受的程度，適用電工、電子產(chǎn)品、半導(dǎo)體、電子線路板、金屬材料等各種材料在溫度急劇變化環(huán)境下的適應(yīng)性。在研制階段可用于發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品設(shè)計和工藝缺陷，在有些情況下也可用于環(huán)境應(yīng)力篩選，剔除產(chǎn)品的早期故障。

ITECH款雙極性電源IT64215年上市后，即得到廣泛好評。作為雙極性電源/電池模擬器，IT64特有的雙極性電壓/電流輸出，可用作雙極電源或雙極電子負載，廣泛應(yīng)用在便攜式電池供電產(chǎn)品、移動電源、LEIC半導(dǎo)體、物聯(lián)網(wǎng)等測試域。一轉(zhuǎn)眼4年過去，一起來盤點IT64經(jīng)典應(yīng)用案例。1電池測試——鋰電池充放電循環(huán)測試鋰離子電池的充電過程為先恒流充電，到接近終止電壓時改為恒壓充電，且要保證終止電壓精度在1％之內(nèi)。當電流流經(jīng)負載時，與所加的電壓不呈線性關(guān)系，就形成非正弦電流，即電路中有諧波產(chǎn)生。諧波頻率是基波頻率的整倍數(shù)，根據(jù)法國數(shù)學家傅立葉(M.Fourier)分析原理證明，任何重復(fù)的波形都可以分解為含有基波頻率和一系列為基波倍數(shù)的諧波的正弦波分量。諧波是正弦波，每個諧波都具有不同的頻率，幅度與相角。諧波可以區(qū)分為偶次與奇次性，第7次編號的為奇次諧波，而8等為偶次諧波，如基波為50Hz時，2次諧波為l00Hz，3次諧波則是150Hz。

【【標題】案例圖片：

基于WB的ROADM架構(gòu)2003年前后，出現(xiàn)了基于平面光波導(dǎo)回路（PLC），通過集成波導(dǎo)，將解復(fù)用器（通常是AWG）、1×2或2×2光開關(guān)、VO分光器及復(fù)用器等集成在一塊芯片上，提高了ROADM的集成度，降低了系統(tǒng)成本。其功能如所示?；赑LC的ROADM架構(gòu)示意圖2個維度的ROADM，適用于簡單的鏈狀或環(huán)狀組網(wǎng)，特點為：從一個方向光纖來的多波長信號先通過分光器分成直通和下路兩部分，直通部分經(jīng)解波去掉下路波長后與上路多波長合波輸出。但現(xiàn)在，僅有核心工程概念的知識已經(jīng)不夠了。您必須在所使用的工具和編程結(jié)構(gòu)語義中執(zhí)行這些概念，來創(chuàng)造定制的邏輯。引入了新的非編程工作流，用于測量數(shù)據(jù)采集、分析和可視化，補充了源自LabVIEW的圖形數(shù)據(jù)流編程范例。它通過將原生學習系統(tǒng)集成環(huán)境中，簡化了使用一種新工具、編碼軟件語言和執(zhí)行工程理論帶來的挑戰(zhàn)。這種學習系統(tǒng)在單一環(huán)境同執(zhí)行以上三方面。對于空間姿態(tài)，在您次使用這些新功能時，該環(huán)境顯示覆蓋提示與上下文信息。

WLP(WaferLevelPackaging)：晶圓級封裝，是一種以BGA為基礎(chǔ)經(jīng)過改進和提高的CSP，直接在晶圓上進行大多數(shù)或是全部的封裝測試程序，之后再進行切割制成單顆組件的方式。上述封裝方式中，系統(tǒng)級封裝和晶圓級封裝是當前受到熱捧的兩種方式。系統(tǒng)級封裝因涉及到材料、工藝、電路、器件、半導(dǎo)體、封裝及測試等，在發(fā)展的過程中對以上域都將起到帶動作用促進電子制造產(chǎn)業(yè)進步。晶圓級封裝可分為扇入型和扇出型，IC制造域巨頭臺積電能夠拿下蘋果A10訂單，其開發(fā)的集成扇出型封裝功不可沒。半導(dǎo)體工業(yè)界預(yù)測，這種進步少仍將持續(xù)10到15年。面對現(xiàn)有的晶體管模式及已經(jīng)臨近極限，借助芯片設(shè)計人員巨大的創(chuàng)造才能，使一個個看似不可逾越的難關(guān)化險為夷，硅晶體管繼續(xù)著小型化的步伐。近期美國科學家的科技成果顯示，將10納米長的圖案壓印在硅片上的時間為四百萬分之一秒，把硅片上晶體管的密度提高了100倍，同時也大大提高了線生產(chǎn)的速度。這一成果將使電子產(chǎn)品繼續(xù)微小化，使摩爾定律繼續(xù)適用。